Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Объём
4 ГБ
Частота
1600 МГц
Латентность
CL11
Тайминги
11-11-11
Организация памяти
512M x 64bit
Напряжение питания
1.5 В
Дополнительно
низкопрофильный модуль
Похожие товары
Характеристики
Общие характеристики
Тип
модуль памяти
Производитель
Kingston
Артикул производителя
KVR16N11S8H/4
Гарантия, мес.
12
Интерфейс
Тип памяти
DDR3 SDRAM
Форм-фактор памяти
DIMM
Характеристики памяти
Организация памяти
512M x 64bit
Количество ранков
1Rx8
Объём, МБ
4096
Частота чипов памяти, МГц
200
Эффективная частота, МГц
1600
Пропускная способность, МБ/с
12800
Латентность CL
11
Тайминги
11-11-11
Напряжение питания, В
1.5
Дополнительно
Дополнительно
низкопрофильный модуль
Ссылка на сайт производителя