Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Объём
4 ГБ
Частота
2666 МГц
Латентность
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Похожие товары
Модуль памяти DDR4 DIMM 16384Mb DDR3200 Samsung (M378A2K43EB1-CWE)
4 910 ₽
Модуль памяти DDR4 DIMM 8192Mb DDR3200 Samsung (M378A1G44AB0-CWE)
2 980 ₽
Модуль памяти DDR4 DIMM 8192Mb DDR3200 Samsung (M378A1K43EB2-CWE)
2 499 ₽
С близкими характеристиками 6
Модуль памяти DDR4 DIMM 4096Mb DDR2666 Kingston ValueRAM (KVR26N19S6/4)
2 400 ₽
Модуль памяти DDR4 DIMM 4Gb DDR2666 Patriot Memory Signature Line Premium (PSP44G266681H1)
1 630 ₽
Модуль памяти DDR4 DIMM 4Gb DDR2666 Crucial Basics (CB4GU2666)
2 870 ₽
Модуль памяти DDR4 DIMM 4096Mb DDR2666 HIKVision (HKED4041BAA1D0ZA1/
1 290 ₽
Модуль памяти DDR4 DIMM 4096Mb DDR2666 Patriot (PSD44G266681)
1 460 ₽
Модуль памяти DDR4 DIMM 4Gb DDR2666 Qumo (QUM4U-4G2666C19)
1 570 ₽
Характеристики
Общие характеристики
Тип
модуль памяти
Производитель
Samsung
Артикул производителя
M378A5143TB2
Опции модели
Original
Гарантия, мес.
12
Интерфейс
Тип памяти
DDR4 SDRAM
Форм-фактор памяти
DIMM
Характеристики памяти
Объём, МБ
4096
Частота чипов памяти, МГц
166
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность, МБ/с
21300
Латентность CL
19
Напряжение питания, В
1.2
Дополнительно
Ссылка на сайт производителя
Отзывы 2
- Цена ( я брал по 1500 за планку)
- Качество чипов самсунга
- Хороший потенциал разгона
- Долго искал их (лично я не мог найти их в магазинах 10.2019)
- Сняты с проиводства
На мой взгляд самые лучшие бюджетные планки оперативки для Райзенов. Частота и тайминги на скрине при напряжении всего 1.236В. Данная модель с чипом по 500 мб, многие пишут что они лучше по качеству и разгону чем те что с чипами по 1ГБ.
К сожалению на 05.2020 полностью пропали в продаже по причине снятия с производства. Поищите на вторичке - не пожалеете.
P.S. Вообще могут брать и лучше:
1.286В - 3200; 16-18-18-16-36
1.336В - 3400 17-18-18-17-38
Быстрая скорость работы хорошо подходит для работы в офисах
Нет