Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
Объём
4 ГБ
Частота
2666 МГц
Латентность
CL19
Напряжение питания
1.2 В
Похожие товары
Модуль памяти DDR4 SODIMM 16Gb DDR2666 Qumo (QUM4S-16G2666P19)
4 060 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 8Gb DDR2400 Qumo (QUM4S-8G2400P16)
1 940 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 8Gb DDR2666 CL16 Qumo (QUM4S-8G2666P19)
1 920 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 8Gb DDR2666 Qumo (QUM4S-8G2666C19)
1 950 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 8Gb DDR3200 Qumo (QUM4S-8G3200P22)
1 930 ₽
С близкими характеристиками 7
Модуль памяти DDR4 SODIMM 4Gb DDR2666 CBR (CD4-SS04G26M19-01)
1 210 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 4Gb DDR2666 Kimtigo (KMKS4G8582666)
900 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 4Gb DDR2666 Netac Basic (NTBSD4N26SP-04)
1 120 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 4Gb DDR2666 Patriot Memory Signature (PSD44G266681S)
1 530 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 4Gb DDR2666 Hikvision S1 (HKED4042BBA1D0ZA1/
1 140 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 4Gb DDR2666 Silicon Power (SP004GBSFU266X02)
1 270 ₽
Модуль памяти DDR4 SODIMM 4Gb DDR2666 Silicon Power (SP004GBSFU266N02)
1 400 ₽
Характеристики
Общие характеристики
Тип
модуль памяти
Производитель
QUMO
Артикул производителя
QUM4S-4G2666C19
Гарантия, мес.
12
Интерфейс
Тип памяти
DDR4 SDRAM
Форм-фактор памяти
SO-DIMM
Характеристики памяти
Объём, МБ
4096
Частота чипов памяти, МГц
166
Эффективная частота, МГц
2666
Пропускная способность, МБ/с
21300
Латентность CL
19
Напряжение питания, В
1.2
Дополнительно
Ссылка на сайт производителя