Бренд
SAMSUNG
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
1400000
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.143x0.097x0.02 м
Вес упаковки (ед)
0.13 кг
Объем упаковки (ед)
0.00027742 м3
Ударостойкость при работе
1500 G
Ударостойкость при хранении
1500 G
Вес устройства
9 грамм
Ключ M.2 разъема
M
Поддержка TRIM
есть
Длина товара
80.15 мм
Ширина товара
22.15 мм
Назначение
для ПК/ноутбука
Модель
Тип жесткого диска
SSD
Модель
990 EVO Plus
PartNumber/Артикул Производителя
MZ-V9S4T0BW
Описание
Особенности
Samsung V-NAND TLC
Основные характеристики
Форм-фактор
M.2 2280
Объем накопителя
4096 ГБ
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Разъем
M.2
Максимальная скорость чтения
7250 МБ/с
Максимальная скорость записи
6300 МБ/с
Время наработки на отказ
1500000 ч
Тип памяти NAND
MLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
1050000
Поддержка NVMe
есть
Ресурс TBW
2400 ТБ
Потребляемая мощность
5.5 Вт
Мощность в режиме ожидания
0.06 Вт
Толщина товара
2.38 мм