Бренд
SAMSUNG
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
2600000
Для геймеров
есть
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.14x0.1x0.02 м
Вес упаковки (ед)
0.12 кг
Объем упаковки (ед)
0.00028 м3
Ударостойкость при работе
1500 G
Ударостойкость при хранении
1500 G
DRAM буфер
есть
Объем DRAM буфера
4096 МБ
Вес устройства
9 грамм
Ключ M.2 разъема
M
Поддержка TRIM
есть
Длина товара
80.15 мм
Ширина товара
22.15 мм
Назначение
для ПК/ноутбука
Структура памяти NAND
3D
Модель
Тип жесткого диска
SSD
Модель
9100 Pro
PartNumber/Артикул Производителя
MZ-VAP1T0BW
Основные характеристики
Форм-фактор
M.2 2280
Объем накопителя
1024 ГБ
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Разъем
M.2
Максимальная скорость чтения
14700 МБ/с
Максимальная скорость записи
13300 МБ/с
Время наработки на отказ
1500000 ч
Тип памяти NAND
TLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
1850000
Поддержка NVMe
есть
Ресурс TBW
600 ТБ
Потребляемая мощность
8.1 Вт
Мощность в режиме ожидания
7.6 Вт
Толщина товара
2.38 мм