Каталог Покупателям Юрлицам Сервис Личный кабинет
0 0 0
Код товара: 994059

Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 2TB MZ-VAP2T0BW 9100 PRO M.2 2280

Код товара: 994059
Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 2TB MZ-VAP2T0BW 9100 PRO M.2 2280 Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 2TB MZ-VAP2T0BW 9100 PRO M.2 2280 Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 2TB MZ-VAP2T0BW 9100 PRO M.2 2280 Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 2TB MZ-VAP2T0BW 9100 PRO M.2 2280 Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 2TB MZ-VAP2T0BW 9100 PRO M.2 2280
34 350 
Под заказ 4 июня
Новосибирск другой город

Чтобы купить на юрлицо

Выберите оплату "счёт для юрлиц" при оформлении заказа. Или обратитесь в отдел корпоративных продаж.

Форм-фактор
M.2 2280
Объем накопителя
2048 ГБ
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Разъем
M.2
Максимальная скорость чтения
14700 МБ/с
Максимальная скорость записи
13400 МБ/с
Время наработки на отказ
1500000 ч
Тип памяти NAND
3D TLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
1850000
Поддержка NVMe
есть
Ресурс TBW
1200 ТБ
Потребляемая мощность
8.1 Вт
Мощность в режиме ожидания
0.0048 Вт
Толщина товара
2.38 мм
Похожие товары
Сортировка
Фильтры Сбросить

Накопитель SSD Samsung PCIe 5.0 x4 2TB MZ-VAP2T0BW 9100 PRO M.2 2280 и похожие 7 из 7

Фильтры
Сортировка
Нет товаров, соответствующих выбранным фильтрам

Сбросить фильтры

Характеристики
Бренд
SAMSUNG
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
2600000
Для геймеров
есть
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.14x0.1x0.02 м
Вес упаковки (ед)
0.12 кг
Объем упаковки (ед)
0.00028 м3
Ударостойкость при работе
1500 G
Ударостойкость при хранении
1500 G
DRAM буфер
есть
Объем DRAM буфера
4096 МБ
Вес устройства
9 грамм
Ключ M.2 разъема
M
Поддержка TRIM
есть
Длина товара
80.15 мм
Ширина товара
22.15 мм
Назначение
для ПК/ноутбука
Модель
Тип жесткого диска
SSD
Модель
9100 Pro
PartNumber/Артикул Производителя
MZ-VAP2T0BW
Основные характеристики
Форм-фактор
M.2 2280
Объем накопителя
2048 ГБ
Интерфейс
PCIe 5.0 x4
Разъем
M.2
Максимальная скорость чтения
14700 МБ/с
Максимальная скорость записи
13400 МБ/с
Время наработки на отказ
1500000 ч
Тип памяти NAND
3D TLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
1850000
Поддержка NVMe
есть
Ресурс TBW
1200 ТБ
Потребляемая мощность
8.1 Вт
Мощность в режиме ожидания
0.0048 Вт
Толщина товара
2.38 мм
Пользуясь сайтом, вы соглашаетесь с использованием cookies и Яндекс.Метрики