Каталог Покупателям Юрлицам Сервис Личный кабинет
0 0 0
Код товара: 0296970

Твердотельный накопитель M.2 NVMe 1Tb Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S1T0BW]

Код товара: 0296970
Твердотельный накопитель M.2 NVMe 1Tb Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S1T0BW] Твердотельный накопитель M.2 NVMe 1Tb Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S1T0BW] Твердотельный накопитель M.2 NVMe 1Tb Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S1T0BW] Твердотельный накопитель M.2 NVMe 1Tb Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S1T0BW] Твердотельный накопитель M.2 NVMe 1Tb Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S1T0BW] Твердотельный накопитель M.2 NVMe 1Tb Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S1T0BW]
9 999 
Есть на Ленина 12
Новосибирск другой город

Чтобы купить на юрлицо

Выберите оплату "счёт для юрлиц" при оформлении заказа. Или обратитесь в отдел корпоративных продаж.

Форм-фактор
M.2 2280
Объем накопителя
1024 ГБ
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Разъем
M.2
Максимальная скорость чтения
7150 МБ/с
Максимальная скорость записи
6300 МБ/с
Время наработки на отказ
1500000 ч
Тип памяти NAND
MLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
850000
Поддержка NVMe
есть
Ресурс TBW
600 ТБ
Потребляемая мощность
4.3 Вт
Мощность в режиме ожидания
0.06 Вт
Толщина товара
2.38 мм
Похожие товары
Сортировка
Фильтры Сбросить

Твердотельный накопитель M.2 NVMe 1Tb Samsung 990 EVO Plus [MZ-V9S1T0BW] и похожие 7 из 7

Фильтры
Сортировка
Нет товаров, соответствующих выбранным фильтрам

Сбросить фильтры

Характеристики
Бренд
SAMSUNG
Максимальная скорость произвольной записи (4KB) (IOPS)
1350000
Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.145x0.022x0.095 м
Вес упаковки (ед)
0.13 кг
Объем упаковки (ед)
0.00030305 м3
Ударостойкость при работе
1500 G
Ударостойкость при хранении
1500 G
Вес устройства
9 грамм
Ключ M.2 разъема
M
Поддержка TRIM
есть
Длина товара
80.15 мм
Ширина товара
22.15 мм
Назначение
для ПК/ноутбука
Модель
Тип жесткого диска
SSD
Модель
990 EVO Plus
PartNumber/Артикул Производителя
MZ-V9S1T0BW
Описание
Особенности
Samsung V-NAND TLC
Основные характеристики
Форм-фактор
M.2 2280
Объем накопителя
1024 ГБ
Интерфейс
PCIe 4.0 x4
Разъем
M.2
Максимальная скорость чтения
7150 МБ/с
Максимальная скорость записи
6300 МБ/с
Время наработки на отказ
1500000 ч
Тип памяти NAND
MLC
Максимальная скорость произвольного чтения (4KB) (IOPS)
850000
Поддержка NVMe
есть
Ресурс TBW
600 ТБ
Потребляемая мощность
4.3 Вт
Мощность в режиме ожидания
0.06 Вт
Толщина товара
2.38 мм
Пользуясь сайтом, вы соглашаетесь с использованием cookies и Яндекс.Метрики